日本英达株
主要结论:1、公司是研发能力较强的小型半导体器件公司,业务主要分布在亚洲,在中国和东南亚有装配工厂和销售点
2、公司的主要产品是大功率器件和电源模组,其中二极管和FET系列外延和芯片自己生产,IGBT外购,产品种类丰富,产业链完整,在市场上有较大的影响力
3、公司在07、08、09年发展受到经济危机的影响,主要产品竞争激烈。目前半导体行业恢复,公司可能从中受益
4、公司目前主要推出产品SiC-SBD,并致力于扩展产品的应用范围,提供完整的解决方案
5、公司扭亏为赢的前提是降低传统产品的成本,提高新产品的附加值并且拓展新能源市场
一、公司介绍:
1957年成立,Sept.2004: 在Tokyo Stock Ex ;change1st Section listed上市,注册资本4,041million yen,员工780人,主要控股股东是:
Kyosan Electric Mfg. Co.,Ltd.,International Rectifier Corp.,Bank of Yokohama, Ltd.,Nippon Life Insurance Company
1.1Appearance and Cleanroom of Tsukuba Factory
SiC肖特基管:
由于Si和GaAs的势垒高度和临界电场比宽带半导体材料低,用其制作的SBD击穿电压较低,反向漏电流较大。碳化硅(SiC)材料的禁带宽度大(2.2eV~3.2eV),临界击穿电场高(2V/cm~4×106V/cm),饱合速度快(2×107cm/s),热导率高为4.9W/(cm·K),抗化学腐蚀性强,硬度大,材料制备和制作工艺也比较成熟,是目前制作高耐压、低正向压降和高开关速度SBD的比较理想的新型材料。