日本英达株
主要结论：1、公司是研发能力较强的小型半导体器件公司，业务主要分布在亚洲，在中国和东南亚有装配工厂和销售点
2、公司的主要产品是大功率器件和电源模组，其中二极管和FET系列外延和芯片自己生产，IGBT外购，产品种类丰富，产业链完整，在市场上有较大的影响力
3、公司在07、08、09年发展受到经济危机的影响，主要产品竞争激烈。目前半导体行业恢复，公司可能从中受益
4、公司目前主要推出产品SiC-SBD，并致力于扩展产品的应用范围，提供完整的解决方案
5、公司扭亏为赢的前提是降低传统产品的成本，提高新产品的附加值并且拓展新能源市场
一、公司介绍：
1957年成立，Sept.2004: 在Tokyo Stock Ex ；change1st Section listed上市，注册资本4,041million yen，员工780人，主要控股股东是：
Kyosan Electric Mfg. Co.,Ltd.，International Rectifier Corp.，Bank of Yokohama, Ltd.，Nippon Life Insurance Company
1.1Appearance and Cleanroom of Tsukuba Factory
SiC肖特基管：
由于Si和GaAs的势垒高度和临界电场比宽带半导体材料低，用其制作的SBD击穿电压较低，反向漏电流较大。碳化硅（SiC）材料的禁带宽度大(2.2eV～3.2eV)，临界击穿电场高（2V/cm～4×106V/cm），饱合速度快（2×107cm/s），热导率高为4.9W/（cm·K），抗化学腐蚀性强，硬度大，材料制备和制作工艺也比较成熟，是目前制作高耐压、低正向压降和高开关速度SBD的比较理想的新型材料。
