1 产品概述:
2CZ10100A9是硅N型肖特基整流二极管,采用铂(Pt)金属
势垒,控制适当的VF和较低的反向漏电,终端采用G/R环结构,稳
定和提高反向击穿。
产品封装形式:TO-220F,符合RoHS指令要求。
2 产品特点:
竛 175℃工作结温,低漏电
竛 低的正向压降
竛 低的功率损耗,高效
竛 GR环保护设计
3 主要用途:
主要用于彩电、计算机二次电源整流,高频电源整流,以及在微波
通信等电路中用作整流二极管。
特征参数
VR100V
IF(AV)10A
VF(IF=5A)0.85V
4 电特性
极限值
除非另有规定,Ta= 25℃
参 数 名 称
符号
额定值
单位
最大可重复峰值反向电压
VRRM
100
V
最大工作反向电压
VRWM
100
V
最大直流阻断电压
VR
100
V
平均整流电流
IF(AV)
10
A
不重复峰值浪涌电流
IFSM
120
A
可重复反向浪涌电流(2.0μs,1.0kHz)
IRRM
1.0
A
工作结温
Tj
175
℃
贮存温度
Tstg
-55~175
℃
电压变化率
dv/dt
10,000
V/μs
电参数
除非另有规定,Ta= 25℃
规 范 值
参数
符号
测 试 条 件
最小
最大
单位
击穿电压
VBR
IR=1mA
100
V
瞬态正向压降
VF
IF=5A Tj=25℃
IF=5A Tj=125℃
IF=10A Tj=25℃
IF=10A Tj=125℃
0.85
0.75
0.95
0.85
V
瞬态反向漏电流
IR
VR=100V Tj=125℃
VR=100V Tj=25℃
15
0.05
mA
a: 脉冲测试tp≤300μs,δ≤2%